Похоже, что флагманские смартфоны компании Samsung следующего года будут иметь довольно серьезную прибавку в мощности и скорости, начиная с Galaxy S10.

По данным @UniverseIce, Samsung начнет массовое производство оперативной памяти LPDDR5 и флеш-памяти UFS 3.0 NAND во второй половине этого года. Эти два компонента могут сначала появиться в Galaxy S10.

Говорят, что UFS 3.0 имеет вдвое большую пропускную способность чем UFS 2.1 со скоростью до 23,2 Гбит/с (одиночная полоса = 11,6 Гбит/с). Она также потребляет меньше энергии и имеет расширенный температурный диапазон для использования в автомобильной промышленности. Для LPDDR5 мы ожидаем 10-процентное увеличение производительности и 15-процентное увеличение энергоэффективности.

Samsung will mass-produce LPDDR5 and UFS3.0 chips in the second half of the year, and I look forward to the Galaxy S10.

— Ice universe (@UniverseIce) 14 июня 2018 г.

Существуют и другие функции, которые, по слухам, появятся в Galaxy S10, среди которых встроенный сканер отпечатков пальцев и технология 3D-сканирования лиц. Кроме этого, ожидается, что следующий чипсет Exynos 9820 предложит впечатляющую вычислительную мощность, которая значительно превзойдет чипсет Snapdragon 855 от Qualcomm.