Компания Samsung Electronics объявила, что она впервые в отрасли разработала 8-гигабитную (Gb) 10-нанометровую (1z-nm) Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM память третьего поколения.

Разработка компанией Samsung 1z-nm DRAM открывает путь для ускоренного глобального перехода ИТ на интерфейсы DRAM следующего поколения, такие как DDR5, LPDDR5 и GDDR6.

В соответствии с текущими отраслевыми потребностями, Samsung планирует увеличить долю производства своей основной памяти на своем заводе в Пхёнтэке, одновременно работая со своими глобальными ИТ-клиентами, чтобы удовлетворить растущий спрос на самые современные продукты DRAM.

Массовое производство DDR4 начнется во второй половине этого года. Она будет предназначена для корпоративных серверов следующего поколения и высокопроизводительных ПК, которые, как ожидается, появятся в 2020 году.