Чип будет изготавливаться по нормам 10-нанометрового технологического процесса. В сети ходят слухи, что Exynos 8895 получит очень серьезный апгрейд быстродействия, а тактовая частота процессора достигнет 3 ГГц.
Новый чип сможет обрабатывать данные на 70-80% быстрее, чем процессоры предыдущего поколения, и при этом потреблять лишь 5 Ватт энергии. Ожидается, что гаджеты на его основе не будут перегреваться даже при серьезной нагрузке.
Скорее всего, Exynos 8895 станет конкурентом Qualcomm Snapdragon 830, который появится на рынке в следующем году и также будет базироваться на 10-нанометровой технологии.
Ожидается, что процессор Exynos 8895 будет устанавливаться в флагманские модели Samsung 2017 года, в частности, Galaxy S8, S8 Edge и преемника Note 7.