Речь идет о 8-гигабитных чипах DRAM второго поколения, которые разрабатываются с использованием 10-нм технологического процесса.
По сравнению с предшественниками, новые чипы оказались на 15% более энергоэффективными, а их производительность возросла на 10%. Их скорость достигает 3600 Мбит/с, в то время, как максимальная скорость предшественников составляла 3200 Мбит/с.
В чипах DRAM второго поколения используется недавно разработанная корейцами система, позволяющая более точно определять хранящиеся в каждой ячейке данные. А уникальная воздушная прокладка резко снижает паразитную емкость, обеспечивая более высокий уровень масштабирования и эффективность работы каждой ячейки.
Новые чипы Samsung имеют самые компактные габариты среди 8-гигабитных аналогов. Они будут использоваться в мобильных телефонах, графических картах и облачных вычислительных центрах.
Источник: gizmochina