Samsung начинает массовое производство флэш-памяти V-NAND 5-го поколения

Это пятая итерация технологии, и ключевой особенностью здесь является внедрение интерфейса NAND «Toggle DDR 4.0».

Последнее позволяет на 40% быстрее передавать информацию между хранилищем и оперативной памятью по сравнению с предшественником, до 1,4 Гбит/с. Но наряду с лучшей производительностью новая память обеспечивает лучшую энергоэффективность — 1,8 вольта до 1,2 вольта.

Чипы V-NAND 5-го поколения построены аналогично предыдущим, и вместо того, чтобы включать 64 слоя, они будут поставляться с 90 слоями флэш-памяти с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, память с ловушкой заряда). Они сложены в пирамидоподобную структуру с микроскопическими отверстиями посередине. Эти отверстия служат в качестве каналов и имеют размер всего несколько сотен нанометров, содержащих более 85 миллиардов ячеек CTF, каждый из которых хранит до трех бит данных.

Это привело к значительному увеличению скорости записи — примерно на 30% быстрее, чем предшественник. Время отклика на сигналы считывания также уменьшается до 50 мкс. Новые высокопроизводительные 256 ГБ чипы, вероятно, появятся в ряде предстоящих устройств Samsung, включая высококачественные смартфоны.