Samsung представила 8 ГБ чипы оперативной памяти LPDDR5 для телефонов следующего поколения

Эти чипы обещают скорость передачи данных до 6,400 Мбит/с, что на 50% выше по сравнению с текущими топ-чипами LPDDR4X (4,266 Мбит/с). Такая скорость достижима, когда чипы питаются от 1.1 V. При более низкой мощности в 1.05 V cкорость составит 5,500 Мбит/с.

Напряжение не фиксировано, однако оно изменяется в зависимости от рабочей скорости. Чип предлагает «глубокий спящий режим», который сокращает потребление энергии примерно до половины «режима ожидания» текущего LPDDR4X, так что потребление энергии снижается на 30 процентов, максимизируя производительность мобильных устройств и увеличивая время автономной работы смартфонов.

Samsung ожидает, что высокая пропускная способность этих чипов будет использоваться для устройств с AI и телефонов с поддержкой 5G.

Samsung будет производить новую оперативную память на своем объекте Pyeongtaek в Южной Кореи.