Samsung начинает массовое производство первой флэш-памяти объемом 1 ТБ

Новый модуль имеет такие же размеры 11,5х13 мм, как и предыдущая версия на 512 ГБ. В нем используются 16 чипов флэш-памяти типа V-NAND плотностью 512 Гбит и недавно разработанный собственный контроллер. Это позволит пользователям хранить 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840 × 2160 пикселей) по сравнению с 13 видео того же размера в смартфонах с 64 ГБ памяти eUFS.

Новая eUFS память объемом 1 ТБ обеспечивает скорость чтения до 1000 мегабайт в секунду (МБ/с) и скорость записи до 260 МБ/с. Для сравнения, видео с разрешением 1920х1080 пикселей и размером 5 ГБ будет скопирован примерно за 5 секунд, что примерно в 10 раз быстрее, чем если бы для этого использовать карту памяти microSD.

Кроме этого, память обеспечивает скорость произвольного чтения до 58 000 IOPS, что на 38% больше по сравнению с версией на 512 ГБ. Что касается производительности на операциях записи, то она составляет до 50 000 IOPS, это в 500 раз быстрее, чем показатель высокопроизводительной microSD карты (100 IOPS).

Компания Samsung заявила, что планирует увеличить темпы производства флэш-памяти eUFS 2.1 объемом 1 ТБ на своем заводе в Пхёнтэке в Корее в течение первой половины 2019 года. Вероятно, что такой объем памяти получит флагман Galaxy S10+, который дебютирует в следующем месяце. По слухам, он также получит версию с 12 ГБ оперативной памяти.