Samsung начинает массовое производство 12 ГБ оперативной памяти LPDDR4X для смартфонов

Ранее Samsung уже производила модули памяти аналогичного объема, но сейчас речь идет о 10-нм памяти LPDDR4X, в то время как до этого выпускалась память LPDDR4 по 20-нм техпроцессу.

Новый модуль DRAM предназнаечн для смартфонов премиум-класса и состоит из шести 16-гигабитных (Gb) чипов. Память изготовляется на основе 10-нм техпроцесса второго поколения, что обеспечивает снижение энергопотребления до 10% при сохранении той же скорости передачи данных 4 266 мегабит в секунду (Мбит/с), что и 8 ГБ ОЗУ LPDDR4.

Толщина LPDDR4X была уменьшена более чем на 20% по сравнению с памятью 1-го поколения, что позволит OEM-производителям создавать более тонкие, но более эффективные мобильные устройства.

Компания Samsung заявила, что планирует во второй половине 2019 года увеличить объемы производства оперативной памяти DRAM на 8 ГБ и 12 ГБ более чем в три раза, чтобы удовлетворить ожидаемый высокий спрос.