Samsung начала массовое производство модулей памяти LPDDR5 uMCP

Он объединяет самую быструю память LPDDR5 DRAM с новейшей флеш-памятью UFS 3.1 NAND, обеспечивая производительность флагманского уровня для гораздо более широкого круга пользователей смартфонов.

Южнокорейский гигант заявляет, что новый uMCP может обеспечить молниеносную скорость и большую емкость хранилища при очень низком энергопотреблении. Это позволит большему количеству пользователей погрузиться в многочисленные 5G приложения, которые ранее были доступны только на флагманских моделях премиум-класса. К таким функциям относятся игры с интенсивным использованием графики и дополненная реальность (AR).

Возможности флагманского уровня стали возможны благодаря почти 50-процентному повышению производительности DRAM, с 17 гигабайт в секунду (ГБ/с) до 25 ГБ/с, и удвоению производительности флэш-памяти NAND с 1,5 ГБ/с до 3 ГБ/с, по сравнению с предыдущим решением UFS 2.2 на базе LPDDR4X.

Это также помогает максимально эффективно использовать пространство внутри смартфона за счет интеграции хранилища DRAM и NAND в единый компактный корпус размером всего 11,5x13 мм, что дает больше места для других функций.

На данный момент Samsung успешно завершила тестирование совместимости LPDDR5 uMCP с несколькими мировыми производителями смартфонов и ожидает, что устройства, оснащенные данным чипом, появятся на основных рынках, начиная с этого месяца.