Samsung представила память UFS 4.0 с более высокой скоростью и лучшей энергоэффективностью

Большинство Android-смартфонов (и многие электронные устройства) используют UFS (универсальное флэш-хранилище), а большинство флагманов — UFS 3.0 или 3.1.

Во вторник, 3 мая, компания Samsung представила UFS 4.0, в которой используется память Samsung Gen 7 V-NAND и собственный контроллер со скоростью последовательного чтения до 4200 МБ/с и скоростью последовательной записи до 2800 МБ/с. Новая технология хранения также обеспечит повышение энергоэффективности на 46% при скорости последовательного чтения по сравнению с предыдущим поколением.

BREAKING: Samsung has developed the industry's highest performing Universal Flash Storage (UFS) 4.0 storage solution, which has received JEDEC® board of director approval. What is UFS 4.0 and what does it mean for the future of storage? Read on to learn more. pic.twitter.com/4Wxdu0J2PD

— Samsung Semiconductor (@SamsungDSGlobal) May 3, 2022

Память UFS 4.0 поддерживает скорость до 23,2 Гбит/с на полосу, что вдвое больше, чем в UFS 3.1. Samsung заявляет, что «пропускная способность идеально подходит для 5G-смартфонов, требующих обработки огромных объемов данных», и ожидает, что эта технология будет принята в VR, AR и автомобильных приложениях.

Samsung ожидает, что массовое производство накопителей UFS 4.0 начнется в третьем квартале этого года, поэтому мы можем ожидать, что смартфоны с новой технологией появятся ближе к концу года или в серии Galaxy S23, которая должна выйти в первом квартале 2023 года.