TSMC начнет выпуск 3-нм чипов в 2023 году

Тайваньский производитель микросхем представит 3-нм чипы во второй половине этого года и выведет 2-нм технологию на мировую арену в 2025 году.

3-нм техпроцесс будет состоять из пяти уровней, каждый из которых будет более мощным, с большей плотностью транзисторов и более эффективным — N3, N3E (улучшенный), N3P (повышенная производительность), N3S (улучшенная плотность) и N3X (сверхвысокая производительность).

Что касается 2-нм узла, он повысит производительность на 10–15 % при том же энергопотреблении и обеспечит снижение потребления на 25–30 % при той же частоте и количестве транзисторов по сравнению с узлом N3E. N2 увеличивает плотность чипа по сравнению с N3E в 1,1 раза.

TSMC также представила GAAFET (полевые транзисторы с затвором). Новые нанолистовые транзисторы увеличат производительность на ватт за счет снижения сопротивления.

Между тем, Samsung Foundry также начнет массовое производство 3-нм чипов в 2022 году, а производство 2-нм чипов в 2025 году.