Samsung анонсировала первую в отрасли память GDDR6 DRAM со скоростью в 24 Гбит/с

Она построена на 10-нм техпроцессе EUV и, как ожидается, повысит производительность графических процессоров ноутбуков и консолей.

Новый чип DRAM будет предлагать универсальную совместимость, поэтому он может получить широкое распространение на рынке среди производителей графических блоков.

Инженеры из штаб-квартиры Samsung в Сувоне разработали инновационную схему и передовой изоляционный материал под названием High-K Metal Gate или HKMG, чтобы свести к минимуму утечку данных. Это означает, что GDDR6 DRAM будет обеспечивать на 30% более высокую скорость, чем предыдущая модель, скорость которой составляет 18 Гбит/с.

Новая линейка GDRR6 от Samsung также предложит низкое энергопотребление для увеличения времени автономной работы ноутбуков. Память использует технологию динамического переключения напряжения, которая адаптируется к требованиям производительности. Компания выпустит версии со скоростями обработки 20 Гбит/с и 16 Гбит/с, работающими при напряжении 1,1 В вместо отраслевого стандарта 1,35 В.

Дэниел Ли, исполнительный вице-президент Memory Product Planning Team в Samsung, рассказал, что причиной таких высоких скоростей обработки является «взрывной рост» потребностей в обработке данных, обусловленный искусственным интеллектом и метавселенной. В настоящее время компания тестирует новую платформу, а это означает, что она все еще проверяется в реальных сценариях, чтобы она могла выйти на рынок «в соответствии с запуском платформы GPU».