Характеристики LG G3 подтверждены официальным сайтом LG
26 мая 2014, 23:46 | Aleksander Bazanov [4280]
Не удалось компании LG удержать в секрете подробности о будущем флагмане G3. В Сети появились официальные характеристики новинки.
Gsmhelpdesk.nl обнаружил на голландском портале официальные спецификации LG G3, а Evleaks показал, как будет выглядеть титановая версия для Sprint в США.
Смартфон получает 5,5-дюймовый QHD (1440 x 2560 пикселей) дисплей, 13-MП камеру с оптической стабилизацией изображения, четырехъядерный процессор с тактовой частотой 2,5 ГГц, аккумулятор емкостью 3000 мАч. Но об этом всем мы уже слышали. А вот к свежей информации относится наличие слота для карт microSD до 128 Гб.



На фотографиях смартфон представлен в золотом и черный титан цветах. Если верить слухам, то официальная презентация LG G3 намечена на 27 мая, так что ждать осталось совсем недолго.
© 2012-2025 iLenta. Все права защищены.
Разное
Qualcomm представила чип Snapdragon 6s Gen 4
26 октября 2025, 08:07 | Bazelas
Компания Qualcomm представила свой новый чипсет среднего уровня — Snapdragon 6s Gen 4.
Представлен беспроводной игровой контроллер Raiju V3 Pro для PlayStation 5
25 октября 2025, 15:07 | Bazelas
Razer представила новый беспроводной игровой контроллер для PlayStation 5 под названием Raiju V3 Pro.
Выпущен сертификат CR15, увеличивающий дальность действия NFC до 20 мм
25 октября 2025, 13:06 | Roter
NFC Forum объявил о выпуске NFC Certification Release 15 (CR15) — обновленной программы сертификации, которая значительно увеличивает возможную дальность считывания устройств с поддержкой NFC.
Apple планирует выпуск 2-нм чипов A20 и A20 Pro
24 октября 2025, 20:08 | Roter
Сообщается, что Apple планирует выпуск чипов A20 и A20 Pro, изготовленных по новейшему 2-нм процессу TSMC.
Samsung запустила массовое производство 2-нм Exynos 2600 и Tesla AI6
24 октября 2025, 19:07 | Bazelas
Samsung официально вступила в эпоху 2-нм техпроцессов, но не без проблем. Подразделение Foundry запустило массовое производство нового чипсета Exynos 2600 на передовом 2-нм GAA-процессе.
