Благодаря RRAM мобильные устройства получат 1 Тб памяти

Однако исследователи из Rice University разработали своего рода RRAM (резистивную RAM), которая может быть создана нынешними средствами и при комнатной температуре.

Данная технология разрабатывалась около пяти лет и сейчас готова к промышленному производству. Однако для ее осуществления необходимы огромные запасы оксида кремния, материала, который обеспечит хорошую выносливость аккумуляторов мобильных устройств. Данная смесь требует гораздо меньше энергии, обладает невероятной плотностью и не восприимчива к тепловым проблемам.

Если все пойдет как надо, то RRAM в ближайшем будущем сможет заменить нынешние флэш-накопители. ЕЕ размер будет не больше почтовой марки, а объем памяти даже превышать 1 Тб. В университете Райса говорят, что большому количеству производителей запоминающих устройств это открытие пришлось по вкусу и большинство из них пожелало лицензировать данную технологию. Поэтому, вполне возможно, что массовое производство RRAM уже не за горами.