Создана самая быстрая флэш-память в мире

Разработка ученых из Фуданского университета получила название PoX. Она обеспечивает скорость записи всего 400 пикосекунд на один бит (это 0.0000000004 секунды). Для сравнения: обычные виды оперативной памяти, такие как SRAM и DRAM, записывают данные за 1–10 наносекунд, но при отключении питания теряют всю информацию. В то же время флэш-память сохраняет данные без источника энергии, однако работает значительно медленнее — время записи может достигать миллисекунд, что делает ее неподходящей для систем ИИ, обрабатывающих терабайты данных в реальном времени.

Под руководством профессора Чжоу Пэна команда кардинально изменила архитектуру ячеек памяти. Вместо кремниевых каналов они использовали двумерный графен Дирака, обладающий выдающимися свойствами в плане переноса заряда. Благодаря настройке так называемой гауссовой длины канала, исследователи добились эффекта двумерной суперинжекции — резкого и мощного всплеска заряда в накопительный слой, что позволило обойти ограничение, присущее традиционным методам записи.

Профессор Чжоу подчеркнул, что с применением ИИ для оптимизации проектирования команда вплотную подошла к физическим пределам энергонезависимой памяти. PoX работает без резервного питания, что особенно важно для компактных ИИ-устройств и гаджетов с ограниченной батареей.

При выходе в массовое производство технология PoX способна заменить высокоскоростные кэши SRAM в микросхемах, что сократит потребление энергии и уменьшит занимаемое пространство. Это открывает путь к использованию новой памяти в ультрамобильных ноутбуках, смартфонах и в системах, которым требуется постоянный доступ к большим объемам данных без перезагрузки.

Данных о сроке службы или полномасштабной производительности пока нет, однако использование графеновых каналов дает совместимость с рядом других двумерных материалов. Сейчас команда работает над масштабированием технологии и проводит тестирование на уровне массивов ячеек.