В TENAA появился новый бюджетник Samsung
19 сентября 2016, 19:31 | Roter [4407]
В базе данных китайского сертификационного сервиса появился новый бюджетный смартфон Samsung с номером модели SM-G5510.
Данное устройство не так давно было замечено на индийском сайте Zauba, но так как этот ресурс не является особо информативным, данных о спецификациях будущей новинки было совсем мало.
Благодаря TENAA стало известно, что смартфон будет оснащен 5-дюймовым TFT экраном с разрешением 720p, 4-ядерным процессором Snapdragon 425, 2 ГБ оперативной памяти, 16 ГБ встроенного дискового пространства и предустановленным Android 6.0 Marshmallow.
Кроме того, есть информация о 13-МП основной и 5-Мп фронтальной камерах, поддержке карт памяти microSD и скоростных сетей LTE. Пока сообщается только о золотой версии смартфона.
Источник: GSMArena
© 2012-2025 iLenta. Все права защищены.
Смартфоны
Будущие iPhone могут получить поддержку полноценного спутникового 5G-интернета
25 октября 2025, 21:09 | Bazelas
Сообщается, что некоторые новые модели iPhone, которые выйдут в следующем году, могут получить поддержку полноценного спутникового интернета 5G.
Модульный смартфон HMD Fusion 2 готов к дебюту
25 октября 2025, 19:08 | Roter
Следующий модульный смартфон от компании HMD, судя по всему, уже совсем близок к выходу.
Samsung Galaxy S21 FE получил свое последнее крупное обновление One UI 8
25 октября 2025, 00:50 | Roter
После нескольких лет регулярных обновлений и исправлений безопасности, Samsung Galaxy S21 FE подходит к финалу своего программного цикла.
Sony выпустила Android 16 для этих смартфонов
24 октября 2025, 23:07 | Roter
В этом году Sony опередила многих крупных производителей — включая OnePlus, Xiaomi, Oppo и Vivo — став одной из первых компаний, выпустивших обновление до Android 16.
Samsung запустила массовое производство 2-нм Exynos 2600 и Tesla AI6
24 октября 2025, 19:07 | Bazelas
Samsung официально вступила в эпоху 2-нм техпроцессов, но не без проблем. Подразделение Foundry запустило массовое производство нового чипсета Exynos 2600 на передовом 2-нм GAA-процессе.
