iPhone 6s будет оснащен 2 Гб оперативной памяти стандарта LPDDR4

По сообщению аналитиков из компании Barrons, смартфон iPhone 6s получит 2 Гб оперативной памяти, изготовленной по стандарту LPDDR4, благодаря чему будет увеличена производительности устройства по сравнению с его предшественниками. Кроме того, такой тип ОЗУ обещает улучшить автономность смартфона.

К слову, максимальная пропускная способность памяти DDR3 ограничена 17 ГБ/с, тогда как теоретически предполагаемая верхняя граница передачи данных для памяти формата LPDDR4 составляет 34 ГБ/с, что положительным образом скажется на удобстве работы с устройством.

Ранее ходили слухи, что Apple будет использовать память LPDDR3, так как она на 35% дешевле. Кроме того, существовало опасение, что поставщики не смогут обеспечить необходимые объемы производства чипов памяти LPDDR4.

Однако проблему с недостаточным объемом выпуска удалось решить. Apple будет заказывать чипы памяти для iPhone 6s у трех поставщиков. При этом Hynix выполнит 50% всех заказов, Samsung – 30%, Micron-Elpida – 20%. Компания Micron-Elpida испытывала некоторые производственные трудности и отставала от графика, но смогла решить проблемы.