AMD домовилася про закупівлю пам’яті HBM4 у Samsung

Оператори центрів обробки даних для ШІ зможуть об’єднувати прискорювачі Instinct із процесорами EPYC та стоєчними архітектурами, такими як платформа AMD Helios, для підтримки систем наступного покоління.

Меморандум про взаєморозуміння між Samsung і AMD було підписано на передовому виробничому комплексі Samsung у Пхентхеку (Південна Корея). У церемонії взяли участь генеральна директорка AMD Ліза Су та глава Samsung Electronics, заступник голови Єн Хен Чжун.

За словами Єн Хен Чжуна, Samsung і AMD об’єднує прагнення розвивати обчислення для ШІ, а нова угода відображає розширення їхнього співробітництва. Він наголосив, що Samsung має унікальні можливості — від передової пам’яті HBM4 і архітектур нового покоління до контрактного виробництва та сучасних технологій пакування чипів, — що дає змогу ефективно підтримувати розвиток ШІ-напряму AMD.

Ліза Су зазначила, що створення інфраструктури для ШІ нового покоління потребує тісної взаємодії між учасниками галузі. За її словами, розширення співпраці з Samsung об’єднає їхні досягнення у сфері передової пам’яті з прискорювачами Instinct, процесорами EPYC і стоєчними платформами AMD. Ключовим чинником вона назвала інтеграцію всіх рівнів обчислювальної системи — від кремнію до готових рішень та інфраструктури — для пришвидшення впровадження ШІ у практичних завданнях.

Пам’ять HBM4 від Samsung виготовляється з використанням 10-нм техпроцесу та логічного базового кристала за нормами 4 нм. Вона забезпечує швидкість передавання даних до 13 Гбіт/с і максимальну пропускну здатність до 3,3 ТБ/с. Крім того, компанії спільно працюватимуть над розробкою високопродуктивної пам’яті DDR5, оптимізованої для процесорів EPYC шостого покоління.