Samsung створила перший у світі 900-шаровий чип пам’яті V-NAND

Новий чип Samsung використовує незвичну технологію

Про технологічний прорив повідомило видання ETNews. Як стверджується, прототип створено з використанням технології Cell Multi-Bonding (CMB), яка дозволяє об’єднувати два 450-шарові кристали пам’яті в один чип.

Такий підхід забезпечує одразу кілька переваг:

• підвищення щільності зберігання даних;
• зменшення енергоспоживання;
• покращення ефективності для навантажень штучного інтелекту та дата-центрів.

Саме такі високощільні структури зараз вважаються особливо перспективними для систем штучного інтелекту, де потрібна величезна пропускна здатність пам’яті та висока енергоефективність.

Samsung намагається повернути лідерство у SK Hynix і Китаю

Наразі одним із лідерів сегмента NAND-пам’яті вважається SK Hynix, яка вже випускає 321-шарові NAND-чипи.

Водночас Samsung паралельно готує масове виробництво NAND-пам’яті десятого покоління з більш ніж 400 шарами та одночасно працює над 900-шаровими рішеннями на етапі досліджень.

Компанія має значний досвід у цій сфері: саме Samsung першою у світі розпочала комерційний випуск 3D V-NAND ще у 2013 році.

Головною проблемою стали деформації під час багатошарової збірки

Із підвищенням кількості шарів інженери зіткнулися зі складними технологічними викликами.

Серед основних проблем:

• деформація пластин (wafer warping);
• зсув шарів;
• складність точного суміщення структур.

За даними джерел, Samsung змогла подолати ці труднощі завдяки новій конструкції Upper Chuck і технології Overlay Correction, яка забезпечує більш точне вирівнювання шарів.

Крім того, компанія переробила структури Bitline (BL) і Wordline (WL), що дозволило одночасно зменшити розміри чипа та скоротити енергоспоживання.