Samsung зробила важливий прорив у виробництві HBM4 для ШІ-серверів

За даними Seoul Economic Daily, частка придатних чипів HBM4 у виробництві Samsung досягла 80%. Для напівпровідникової галузі це важливий рубіж: за такого рівня виходу придатних виробів виробництво стає значно передбачуванішим, стабільнішим та економічно вигіднішим. Водночас сама Samsung офіційно підтвердила, що ще в лютому розпочала масове виробництво HBM4 та постачання готової пам’яті клієнтам.

Samsung вивела виробництво HBM4 на новий рівень

Показник виходу придатних чипів, або «yield», показує, яка частка виробленої продукції проходить усі перевірки якості без критичних дефектів. Що вищий цей показник, то менше кремнієвих пластин і готових мікросхем доводиться списувати, а отже, нижчою стає собівартість кожного придатного чипа.

За інформацією корейських ЗМІ, на початку масового виробництва HBM4 показник Samsung був нижчим за 60%. Тепер компанії вдалося підняти його приблизно до 80% лише за кілька місяців. Саме позначку у 80% у напівпровідниковій галузі часто вважають своєрідною «золотою межею», після якої виробництво значно легше масштабувати.

Samsung пояснює свій успіх поєднанням технологій одразу кількох підрозділів — виробництва пам’яті, Foundry та передового пакування. Такий підхід дає компанії змогу контролювати значну частину виробничого ланцюжка в межах однієї структури. Для HBM це особливо важливо, оскільки якість кожного етапу безпосередньо впливає на надійність готового багатошарового чипа.

Офіційно Samsung розпочала масовий випуск HBM4 12 лютого 2026 року та одночасно повідомила про перші комерційні постачання клієнтам. Компанія використовує 1c DRAM — шосте покоління пам’яті 10-нм класу — і базовий кристал, виготовлений за 4-нм технологією Foundry. Samsung заявляла про швидкість передавання даних 11,7 Гбіт/с із можливістю масштабування до 13 Гбіт/с.

На цьому тлі показник у 80% виглядає особливо важливим: йдеться вже не просто про демонстрацію можливостей нової пам’яті, а про здатність виробляти її у великих обсягах із прийнятною економічною ефективністю.

Чому Samsung так важливо наздогнати SK hynix

Ринок HBM сьогодні фактично визначає, хто отримає більшу частину доходів від буму інфраструктури штучного інтелекту. Така пам’ять використовується разом із GPU та іншими ШІ-прискорювачами, забезпечуючи їм надзвичайно високу пропускну здатність. Без неї сучасні системи для навчання та роботи великих моделей не змогли б ефективно використовувати доступні обчислювальні потужності.

Основними виробниками сучасної HBM залишаються Samsung, SK hynix і Micron. Водночас SK hynix тривалий час зберігала суттєву перевагу. За даними самої SK hynix, у другому кварталі 2025 року компанія контролювала 62% ринку HBM за обсягом постачань, а за виручкою в третьому кварталі її частка становила 57%. Новіші галузеві оцінки свідчать, що конкуренція за HBM4 поступово стає значно гострішою.

У червні TrendForce повідомила, що Samsung першою завершила валідацію HBM4 та почала постачання у другому кварталі 2026 року, тоді як SK hynix зіткнулася із затримками, пов’язаними із синхронізацією інтерфейсів. Це створює для Samsung додаткове вікно можливостей, яким компанія явно має намір скористатися.

Тепер Samsung розраховує зайняти близько 38% ринку HBM до кінця 2026 року. Аналітики також допускають, що у 2027 році компанія зможе обійти SK hynix за обсягом виробництва HBM. Поки що це лише прогноз, але стрімке зростання частки придатних чипів HBM4 робить такий сценарій значно реалістичнішим.

Найпоказовішим тут є порівняння з попереднім поколінням. Samsung мала серйозні проблеми з HBM3 і HBM3E, зокрема через питання до нагрівання та стабільності, через які частина продукції не проходила перевірки клієнтів. HBM4 створювали вже з урахуванням цього досвіду, а компанія водночас змінила виробничий підхід і активніше задіяла можливості Foundry та передового пакування.

Саме тому нинішній результат виглядає не як звичайне підвищення ефективності виробництва, а як спроба Samsung відновити довіру найбільших замовників після невдач із попередніми поколіннями пам’яті.

HBM4 стає ключовою пам’яттю для наступного покоління ШІ

HBM відрізняється від звичайної оперативної пам’яті передусім конструкцією. Кілька шарів DRAM розташовуються один над одним, завдяки чому вдається отримати величезну пропускну здатність на відносно компактній площі. Однак така архітектура значно ускладнює виробництво: необхідно забезпечити точне з’єднання численних шарів, стабільне енергоспоживання та надійну роботу всієї конструкції.

Саме тому зростання частки придатних чипів має таке велике значення. Навіть технічно досконала мікросхема не принесе виробнику очікуваного прибутку, якщо надто велика частка продукції вирушає у брак.

Для HBM4 Samsung заявляє швидкість до 11,7 Гбіт/с на контакт із перспективою збільшення до 13 Гбіт/с. Компанія також вказує пропускну здатність одного стека до 3 ТБ/с і максимальну місткість 36 ГБ для 12-шарової конфігурації. У майбутньому використання 16 шарів дасть змогу збільшити місткість до 48 ГБ.

Такі характеристики особливо важливі для нових ШІ-прискорювачів, яким доводиться одночасно обробляти величезні обсяги даних. Наступне покоління платформ Nvidia, зокрема на архітектурі Rubin, має ще більше підвищити вимоги до пропускної здатності пам’яті.

На практиці це означає, що боротьба Samsung і SK hynix точиться не лише за виробництво окремих мікросхем. Компанії конкурують за місце в ланцюжках постачання Nvidia, AMD, Google та інших розробників обладнання для штучного інтелекту.

Samsung уже готує HBM4E

Зупинятися на досягнутому Samsung не збирається. Компанія працює над HBM4E — наступним етапом розвитку технології. За наявними даними, Samsung прагне довести частку придатних чипів HBM4E приблизно до 70% ще до початку масового виробництва, яке очікується в першій половині 2027 року.

Це особливо цікаво на тлі того, що виробники пам’яті вже заздалегідь розширюють потужності під майбутній попит. За оцінками галузевих аналітиків, значну частину виробничих можливостей для HBM на 2027 рік уже зарезервували клієнти. Іншими словами, боротьба точиться не лише за створення швидшої пам’яті, а й за можливість фізично виробити її в необхідній кількості.

Для Samsung це принциповий момент: високий показник виходу придатних чипів дає змогу швидше нарощувати реальні постачання без пропорційного збільшення виробничих витрат. Якщо компанії вдасться одночасно зберегти якість і збільшити обсяги, відставання від SK hynix може помітно скоротитися.

Що зміниться для користувачів в Україні

Звичайний покупець смартфона, ноутбука чи телевізора не побачить HBM4 у характеристиках свого пристрою — це спеціалізована пам’ять для серверів та прискорювачів. Однак її вплив поступово відчуватиметься і на споживчому ринку.

ШІ-сервіси, хмарні платформи, генеративні моделі та різноманітні функції обробки зображень потребують дедалі більше серверних потужностей. Якщо Samsung та інші виробники зможуть збільшити випуск HBM, це допоможе нарощувати кількість ШІ-прискорювачів у центрах обробки даних і потенційно зменшить обмеження щодо доступності обчислювальних ресурсів.

Для українських користувачів це може проявитися передусім у розвитку хмарних ШІ-сервісів, швидкості оброблення запитів та появі нових функцій у смартфонах і комп’ютерах. Водночас сама HBM4 найближчим часом не стане компонентом звичайного домашнього ПК — її основне призначення залишається у високопродуктивних серверних системах.

Є й інший бік питання. Попит на HBM уже впливає на весь ринок пам’яті, оскільки виробники перерозподіляють виробничі потужності на користь дорожчих рішень для ШІ. Тому конкуренція Samsung, SK hynix і Micron важлива не лише для серверів: від того, наскільки швидко зростатиме виробництво спеціалізованої пам’яті, у перспективі може залежати і доступність інших типів DRAM та NAND.

Samsung розраховує перетворити технологічний прорив на величезний бізнес

Потенційний масштаб ринку добре демонструє фінансова сторона історії. За оцінкою, наведеною у вихідному матеріалі, за збереження високих темпів зростання Samsung може отримати у 2027 році щонайменше $30 млрд прибутку від продажу HBM. За офіційним курсом НБУ близько 47,49 грн за долар це приблизно 1,42 трлн грн.

Це саме прогноз, а не гарантований фінансовий результат. Він залежатиме від цін на HBM, обсягів постачань, попиту з боку виробників ШІ-прискорювачів та здатності Samsung утримувати високий показник виходу придатних виробів.

Водночас сама Samsung очікує, що її продажі HBM у 2026 році зростуть більш ніж утричі порівняно з 2025 роком. Компанія також планує активно розширювати виробничі потужності для HBM4 та розвивати наступні покоління пам’яті.

Судячи з динаміки виробництва, Samsung поступово перетворює HBM4 із технологічного виклику на повноцінну конкурентну перевагу. Якщо показник виходу придатних чипів справді закріпиться на рівні близько 80%, головним питанням стане вже не здатність компанії виробляти HBM4, а те, наскільки швидко вона зможе масштабувати обсяги та відібрати частку ринку у SK hynix.

Для Samsung це особливо важливий момент після проблем із HBM3E: тепер компанія отримала можливість довести найбільшим замовникам, що здатна не лише створити конкурентоспроможну пам’ять, а й стабільно випускати її у великих обсягах. Саме масштаб виробництва та надійність постачань можуть визначити розстановку сил на ринку HBM у 2027 році.