Створено найшвидшу флеш-пам'ять у світі

Розробка вчених із Фуданського університету отримала назву PoX. Вона забезпечує швидкість запису всього 400 пікосекунд на один біт (це 0.0000000004 секунди). Для порівняння: звичайні види оперативної пам'яті, такі як SRAM та DRAM, записують дані за 1-10 наносекунд, але при відключенні живлення втрачають всю інформацію. У той же час флеш-пам'ять зберігає дані без джерела енергії, проте працює значно повільніше — час запису може досягати мілісекунд, що робить її непридатною для систем ШІ, що обробляють терабайти даних у реальному часі.

Під керівництвом професора Чжоу Пена команда кардинально змінила архітектуру осередків пам'яті. Замість кремнієвих каналів вони використовували двовимірний графен Дірака, що має видатні властивості в плані перенесення заряду. Завдяки настроюванню так званої гаусової довжини каналу, дослідники досягли ефекту двовимірної суперінжекції — різкого і потужного сплеску заряду в накопичувальний шар, що дозволило обійти обмеження, властиве традиційним методам запису.

Професор Чжоу підкреслив, що із застосуванням ШІ для оптимізації проєктування команда впритул підійшла до фізичних меж енергонезалежної пам'яті. PoX працює без резервного живлення, що особливо важливо для компактних ШІ-пристроїв та гаджетів з обмеженою батареєю.

При виході в масове виробництво технологія PoX здатна замінити високошвидкісні кеші SRAM в мікросхемах, що скоротить споживання енергії та зменшить простір, що займає. Це відкриває шлях до використання нової пам'яті в ультрамобільних ноутбуках, смартфонах та системах, яким потрібен постійний доступ до великих обсягів даних без перезавантаження.

Даних про термін служби або повномасштабної продуктивності поки немає, проте використання графенових каналів дає сумісність із низкою інших двовимірних матеріалів. Зараз команда працює над масштабуванням технології та проводить тестування на рівні масивів осередків.