Samsung розкрила перші подробиці про пам'ять HBM5: нові чипи для ШІ будуть більш ніж на 50% швидшими

За офіційною інформацією Samsung, нове покоління пам'яті забезпечить приріст продуктивності більш ніж на 50% порівняно з HBM4E. Досягти такого результату планують завдяки використанню сучасного 2-нм техпроцесу та вдосконаленій конструкції мікросхем.

HBM5 стане значно швидшою за попереднє покоління

Про нову розробку розповів керівник напряму технологічного розвитку контрактного виробництва Samsung Гу Джахум.

За його словами, пам'ять HBM5 оброблятиме дані більш ніж на 50% швидше, ніж HBM4E.

Серед ключових вдосконалень:

• використання 2-нм технологічного процесу;
• збільшення пропускної здатності пам'яті;
• підвищення енергоефективності;
• оновлена конструкція базового кристала.

Саме базовий кристал є основою, на якій розміщуються кілька шарів DRAM-пам'яті. Перехід на сучасніший техпроцес дасть змогу знизити енергоспоживання та водночас істотно підвищити швидкість передавання даних.

Samsung впровадить технологію Gate-All-Around

Однією з головних особливостей нових мікросхем стане використання фірмової 2-нм технології Gate-All-Around (GAA).

На відміну від традиційних транзисторів FinFET, архітектура GAA забезпечує точніший контроль над електричним струмом, зменшує втрати енергії та дозволяє розміщувати більше транзисторів на тій самій площі кристала.

Крім того, Samsung планує вдосконалити технологію Through-Silicon Via (TSV), яка відповідає за з'єднання кількох шарів пам'яті.

Компанія має намір зробити міжшарові з'єднання DRAM ще щільнішими, що дасть змогу додатково збільшити швидкість обміну даними між мікросхемами.

Чому HBM стала одним із найважливіших компонентів для ШІ

Сьогодні високошвидкісна пам'ять HBM вважається одним із ключових елементів сучасної інфраструктури штучного інтелекту.

Вона використовується у:

• прискорювачах штучного інтелекту;
• серверних графічних процесорах;
• суперкомп'ютерах;
• центрах обробки даних;
• системах машинного навчання.

На відміну від традиційної оперативної пам'яті, HBM складається з кількох вертикально інтегрованих шарів DRAM, що забезпечує значно вищу пропускну здатність за меншого енергоспоживання.

Саме тому попит на такі мікросхеми стрімко зростає разом із розвитком генеративного штучного інтелекту та великих мовних моделей.

Samsung прискорює перехід на 2-нм технології

Розробка HBM5 є лише частиною масштабнішої стратегії компанії.

Samsung вже розпочала серійне виробництво мікросхем першого покоління за 2-нм техпроцесом. У другій половині цього року виробник також планує налагодити випуск нових мобільних процесорів на базі другого покоління 2-нм технології, яке відзначається кращим виходом придатних кристалів і вищою продуктивністю.

Такий підхід дозволить використовувати єдині передові виробничі рішення як для серверних компонентів, так і для майбутніх мобільних пристроїв.

Як Samsung конкурує на ринку HBM

Ринок HBM сьогодні є одним із найдинамічніших сегментів напівпровідникової галузі. Основними конкурентами Samsung залишаються SK hynix і Micron, які також активно розробляють пам'ять нового покоління для прискорювачів штучного інтелекту.

Водночас саме можливість виробляти сучасні мікросхеми за 2-нм техпроцесом може стати однією з головних переваг Samsung у боротьбі за замовлення найбільших розробників ШІ-чипів.

Підвищення швидкодії більш ніж на 50% порівняно з HBM4E може зробити HBM5 однією з найпродуктивніших технологій пам'яті після початку її комерційного виробництва.

Чому ця технологія важлива не лише для серверів

Хоча пам'ять HBM5 не призначена для звичайних смартфонів чи персональних комп'ютерів, її розвиток безпосередньо впливає на споживчу електроніку. Потужніші сервери для штучного інтелекту прискорюють навчання нейромереж, які згодом використовуються в мобільних пристроях, хмарних сервісах та сучасних застосунках.

Для українських користувачів це означає подальший розвиток сервісів на основі штучного інтелекту — від інтелектуального пошуку й генерації контенту до продуктивніших хмарних платформ, якими щодня користуються мільйони людей. Зростання продуктивності серверної пам'яті сприятиме швидшій обробці даних і підвищенню ефективності таких сервісів.

Наразі Samsung розкрила лише перші технічні подробиці HBM5. Компанія поки не називає термінів початку серійного виробництва нової пам'яті, однак офіційне повідомлення підтверджує, що розробка наступного покоління HBM уже перейшла до активної стадії.