Samsung випустила DRAM-чіп CXL 2.0 зі збільшеною пропускною здатністю

Підтримка нового стандарту реалізована у платформі Intel Xeon.

Новий DRAM-чіп Samsung ємністю 128 ГБ призначено для використання в серверах та інших високопродуктивних обчислювальних пристроях. Він заснований на представленому в середині минулого року DRAM-рішенні зі стандартом CXL 1.1, має підтримку PCIe 5.0 та забезпечує пропускну здатність до 35 Гбіт/c.

«Як член Ради директорів консорціуму CXL, Samsung Electronics залишається в авангарді технології CXL. Ця революційна розробка підкреслює наше прагнення подальшого розширення екосистеми CXL за рахунок партнерських відносин з виробниками центрів обробки даних, серверів та чіпсетів по всій галузі», — заявив Чансок Чой, віце-президент Samsung Electronics з бізнес-планування.

Масове виробництво нових DRAM-чіпів Samsung зі стандартом CXL 2.0 стартує наприкінці цього року. Samsung запропонує своїм клієнтам різні розміри чіпів для різних типів пристроїв, які зможуть забезпечити високу продуктивність систем із штучним інтелектом та машинним навчанням.