Samsung, крупнейший производитель памяти в мире, по данным южнокорейских СМИ, разработал первый в истории прототип 900-слойной флэш-памяти V-NAND.

Новый чип Samsung использует необычную технологию

О прорыве сообщило издание ETNews. Как утверждается, прототип построен с применением технологии Cell Multi-Bonding (CMB). Она позволяет объединять два 450-слойных кристалла памяти в один чип.

Подобный подход дает сразу несколько преимуществ:

• увеличивает плотность хранения данных;
• снижает энергопотребление;
• повышает эффективность для AI-нагрузок и дата-центров.

Именно такие высокоплотные структуры сейчас считаются особенно перспективными для систем искусственного интеллекта, где требуется огромная пропускная способность памяти и высокая энергоэффективность.

Samsung пытается вернуть лидерство у SK Hynix и Китая

Сейчас одним из лидеров сегмента NAND-памяти считается SK Hynix, которая уже выпускает 321-слойные чипы NAND.

Однако Samsung одновременно готовится к массовому производству NAND-памяти десятого поколения с более чем 400 слоями и параллельно ведет разработку 900-слойных решений на исследовательском этапе.

Компания уже имеет серьезный опыт в этой области. Именно Samsung первой в мире начала коммерческий выпуск 3D V-NAND еще в 2013 году.

Главной проблемой стали деформации при многослойной сборке

По мере увеличения количества слоев инженеры столкнулись с серьезными технологическими трудностями.

Среди основных проблем:

• деформация пластин (wafer warping);
• смещение слоев;
• сложности с точным совмещением структур.

По данным источников, Samsung смогла решить эти проблемы благодаря новой конструкции Upper Chuck и технологии Overlay Correction, отвечающей за более точное выравнивание слоев.

Кроме того, компания переработала структуры Bitline (BL) и Wordline (WL), что позволило одновременно уменьшить размеры чипа и сократить энергопотребление.