В понедельник, 30 декабря, в Корее компания Samsung объявила, что она разработала первый 8 гигабитный (ГБ) чип LPDDR4 mobile DRAM с высокой мощностью и двойной скоростью передачи данных.

Чип разработан с использованием 20-нм процесса и предлагает 1 ГБ на одном кристалле. Это означает, что он имеет самую большую плотность DRAM компонента. Кроме того, Samsung сообщает о том, что это обеспечивает высокую производительность при низком энергопотреблении.

Новый мобильный высокоскоростной DRAM 8Gb LPDDR4 от Samsung обеспечит самый высокий уровень плотности, производительности и энергоэффективности для приложений, позволяя конечным пользователям получать более быструю отзывчивость приложений. Повысит разрешение отображения, максимизирует срок службы батареи.

В целом, новый интерфейс LPDDR4 обеспечит 50 % увеличение производительности, по сравнению с самым быстрым LPDDR3 или памятью DDR3, потребляя на 40% меньше энергии на 1,1 вольт. Данные будут передаваться на скорости 3200 Mbps.

Чип будет использоваться для верхней планки устройств, включая смартфоны, и будет готов к установке в 2014 году.