Компания Samsung готовит к выпуску смартфон Galaxy S23 Fan Edition (FE), который может дебютировать до конца сентября.

Глобальная версия смартфона будет оснащена мобильным процессором Exynos 2200, в то время как вариант для американского рынка будет оснащен чипом Snapdragon 8 Gen 1.

Оба чипа изготовлены с использованием 4-нанометровой технологии. Такое разделение процессоров мы уже видели полтора года назад в семействе Galaxy S22.

Samsung Galaxy S23 FE будет иметь как минимум 8 ГБ оперативной памяти, дисплей AMOLED с частотой обновления 120 Гц и камеру с разрешением 50 Мп. Емкость аккумулятора составит 4500 мАч, а поддержка быстрой зарядки достигнет 25 Вт.