Фінальна мета – розпочати випуск транзисторів шириною 1,4 нм у 2027 році. Про це оголошено на заході Samsung Foundry Forum 2022.
На початку літа 2022 року Samsung розпочала випуск перших у світі чіпів, виконаних за техпроцесом 3 нм та технологією GAA (Gate All Around). 2024 року компанія планує випустити 3-нм мікросхеми другого покоління. Очікується, що розмір транзисторів скоротиться на 20%.
У 2025 році розпочнеться випуск чіпів за новою технологією SF3P+ та чіпів з техпроцесом 2 нм. Це закладе основу для виробництва 1,4-нм продуктів.
Крім того, Samsung планує до 2027 року збільшити виробничі потужності для передових чіпів більш ніж утричі. На додаток до фабрик в Остіні (США), а також корейських Пхентхек, Хвасон і Гихин, компанія будує ще один завод у Тейлорі (Техас, США).
Джерело: samsung