Чипи пам’яті Samsung HBM3 та HBM3E, які використовуються в ШІ-прискорювачах, раніше стикалися з проблемами продуктивності. Минулого року компанії довелося доопрацювати HBM3E, щоб отримати схвалення Nvidia.

Навіть після цього такі чипи використовувалися лише в окремих ШІ-прискорювачах Nvidia, що постачалися на китайський ринок. Наразі позиції Samsung виглядають більш впевнено: за даними джерел, її чипи HBM4 вже близькі до отримання схвалення Nvidia.

Як повідомляє Bloomberg, HBM4 від Samsung перебувають на завершальному етапі сертифікації у Nvidia. Масове виробництво планується розпочати у лютому 2026 року. Поставки зразків Nvidia стартували ще у вересні 2025-го, і з того часу чипи, за наявними даними, пройшли фінальний етап кваліфікації. Після початку серійного виробництва Samsung зможе постачати HBM4 не лише Nvidia, а й іншим розробникам ШІ-прискорювачів, зокрема AMD та Google.

HBM (high-bandwidth memory) — це пам’ять з високою пропускною здатністю. Ця високопродуктивна технологія базується на вертикальному стекуванні кількох DRAM-чипів, що забезпечує суттєво вищу пропускну здатність і швидкість у порівнянні з традиційною пам’яттю DDR або LPDDR, яка використовується в смартфонах, комп’ютерах та серверах. При цьому HBM-чипи відзначаються високою складністю та дорогоцінністю виробництва.

Попри те, що Samsung десятиліттями залишається найбільшим виробником пам’яті у світі, компанія тривалий час не надавала HBM пріоритетного значення. Цим скористалися конкуренти — SK Hynix та Micron, яким вдалося вирватися вперед на ринку HBM. До моменту, коли Samsung активізувала свої зусилля у епоху HBM третього та п’ятого поколінь (HBM3 та HBM3E), відставання вже було помітним.

Ситуація почала змінюватися з розробкою чипів шостого покоління HBM4. За деякими даними, рішення Samsung перевершують конкурентні продукти SK Hynix та Micron. Очікується, що саме HBM4 будуть використані у наступному флагманському ШІ-процесорі Nvidia під кодовою назвою Rubin, вихід якого заплановано на цей рік.