.png){kind=logo}
Усього через кілька місяців після початку постачання пам’яті шостого покоління HBM4 для клієнтів на кшталт AMD і NVIDIA компанія вже відправила перші зразки наступного покоління — HBM4E — великим замовникам.
Пам’ять нового покоління з підвищеною швидкістю та ефективністю
HBM4E побудована на 12-шаровій архітектурі та, за заявами Samsung, забезпечує помітний приріст продуктивності порівняно з HBM4. Йдеться про:
- до 20% вищу швидкість роботи
- до 16% кращу енергоефективність
- пропускну здатність до 3,6 ТБ/с
- швидкість передачі даних до 14 Гбіт/с на контакт із можливим розгоном до 16 Гбіт/с
Такі характеристики роблять нову пам’ять орієнтованою насамперед на задачі штучного інтелекту, де критично важливі як швидкість обробки даних, так і енергоспоживання.
Покращений техпроцес і підвищена надійність
В основі HBM4E використовується 10-нм DRAM-процес шостого покоління (1c), а також базовий кристал Samsung Foundry, виконаний за 4-нм техпроцесом. Компанія стверджує, що поєднання цих технологій дозволило підвищити вихід придатної продукції та знизити виробничі ризики.
Окрему увагу приділено тепловим характеристикам: термостійкість збільшено більш ніж на 14%, що позитивно впливає на відведення тепла та загальну надійність роботи пам’яті під високим навантаженням.
Конфігурації до 64 ГБ і ставка на ринок ШІ
Samsung планує випускати HBM4E у кількох конфігураціях. Базова версія пропонує 48 ГБ пам’яті у 12-шаровій збірці, що приблизно на 30% більше, ніж у HBM4. Надалі лінійка буде розширена:
- 32 ГБ (8-шарова версія)
- 48 ГБ (12-шарова версія)
- 64 ГБ (16-шарова версія)
Фокус на стабільність постачання для індустрії ШІ
У компанії зазначають, що зворотний зв’язок щодо HBM4 загалом був позитивним, а попит з боку ринку штучного інтелекту продовжує стрімко зростати. У зв’язку з цим Samsung має намір забезпечити стабільні та масштабовані постачання високошвидкісної пам’яті для ключових партнерів і дата-центрів по всьому світу.
Джерело: sammobile
