Завдяки витоку в Китаї змогли запустити масове виробництво пам'яті на два роки раніше за прогнози.

Прокуратура Південної Кореї звинуватила колишнього інженера Samsung, який використав «аналоговий» метод для обходу цифрових систем безпеки — щоб передати критично важливі дані конкурентам з Китаю.

Слідство встановило, що співробітник протягом п'яти років вручну переписував до блокноту технічні параметри понад 600 етапів провадження. Ці записи дозволили компанії ChangXin Memory Technologies отримати доступ до секретів виготовлення DRAM, минаючи роки власних досліджень.

Витік технологій 10-нанометрового класу завдав Samsung шкоди, що оцінюється в трильйони вон. Експерти відзначають, що ChangXin Memory Technologies претендує на захоплення до 15% світового ринку оперативної пам'яті.