Компанія Samsung зробила значний крок у розвитку мікросхем DDR5 DRAM, представивши першу у світі 32-гігабітну мікросхему.

Мікросхема була розроблена з використанням 12-нм технологічного процесу DRAM та пропонує збільшену щільність зберігання даних при нижчому енергоспоживанні.

Це досягнення дозволить Samsung створювати модулі DIMM із більшою ємністю. Наприклад, можна буде створювати модулі пам'яті об'ємом 1 ТБ, що складаються з 40 стеків пам'яті 8-Hi 3DS з використанням мікросхем ємністю 32 Гб.

Незважаючи на початкове враження надмірності такої великої пам'яті, вона стане дуже важливою для серверів, що працюють зі штучним інтелектом, обробкою великих обсягів даних та управлінням базами даних, забезпечуючи обчислювальну потужність, необхідну для вирішення складних завдань.

Також варто відзначити, що раніше існували чутки про можливу угоду між Samsung та AMD щодо виробництва майбутніх мікросхем для центрів обробки даних. Ці чутки стверджували, що Samsung отримала замовлення на виробництво 4-нм мікросхем від одного з великих замовників ЦОДу, можливо, AMD.