Компанія Samsung готує до випуску смартфон Galaxy S23 Fan Edition (FE), що може дебютувати до кінця вересня.

Глобальна версія смартфона буде оснащена мобільним процесором Exynos 2200, тоді як варіант для американського ринку буде оснащений чіпом Snapdragon 8 Gen 1.

Обидва чіпи виготовлені з використанням 4-нанометрової технології. Такий поділ процесорів ми вже бачили півтора роки тому у сімействі Galaxy S22.

Samsung Galaxy S23 FE матиме як мінімум 8 ГБ оперативної пам'яті, дисплей AMOLED із частотою оновлення 120 Гц та камеру з роздільною здатністю 50 Мп. Місткість акумулятора складе 4500 мАг, а підтримка швидкого заряджання досягне 25 Вт.