Портал Gizchina, посилаючись на свої джерела, повідомляє, що флагмани iQOO, Oppo, OnePlus та Realme на чипі Snapdragon 8 Gen 4 отримають батарею підвищеної ємності.

Акумулятори нового покоління використовуватимуть кремнієвий анод замість графітового: вважається, що останні досягли межі своєї продуктивності.

Перехід на кремнієвий електрод на кшталт еволюції, оскільки його теоретична питома ємність становить 4200 мАг/грам. Для порівняння: теоретична межа графітового анода у 12 разів менша.

На тлі чуток про ненажерливість Snapdragon 8 Gen 4, батарея з підвищеною щільністю виглядає як логічне рішення. Крім того, за чутками, у новому чипі не буде енергоефективних ядер, що має збільшити його TDP.

Однак разом зі збільшеною ємністю акумулятора гаряча система на чипі стане гарною заміною теплим батареям взимку. Ну чи доставить дискомфорт при використанні смартфона. Хочеться вірити, що ця думка помилкова, але, ймовірно, нові флагмани сильно грітимуться навіть при невеликому навантаженні. Що вже говорити про ігри та зйомку на камеру.