Samsung прискорює розвиток HBM: стартувало постачання зразків пам’яті HBM4E

Усього через кілька місяців після початку постачання пам’яті шостого покоління HBM4 для клієнтів на кшталт AMD і NVIDIA компанія вже відправила перші зразки наступного покоління — HBM4E — великим замовникам.

Пам’ять нового покоління з підвищеною швидкістю та ефективністю

HBM4E побудована на 12-шаровій архітектурі та, за заявами Samsung, забезпечує помітний приріст продуктивності порівняно з HBM4. Йдеться про:

• до 20% вищу швидкість роботи
• до 16% кращу енергоефективність
• пропускну здатність до 3,6 ТБ/с
• швидкість передачі даних до 14 Гбіт/с на контакт із можливим розгоном до 16 Гбіт/с

Такі характеристики роблять нову пам’ять орієнтованою насамперед на задачі штучного інтелекту, де критично важливі як швидкість обробки даних, так і енергоспоживання.

Покращений техпроцес і підвищена надійність

В основі HBM4E використовується 10-нм DRAM-процес шостого покоління (1c), а також базовий кристал Samsung Foundry, виконаний за 4-нм техпроцесом. Компанія стверджує, що поєднання цих технологій дозволило підвищити вихід придатної продукції та знизити виробничі ризики.

Окрему увагу приділено тепловим характеристикам: термостійкість збільшено більш ніж на 14%, що позитивно впливає на відведення тепла та загальну надійність роботи пам’яті під високим навантаженням.

Конфігурації до 64 ГБ і ставка на ринок ШІ

Samsung планує випускати HBM4E у кількох конфігураціях. Базова версія пропонує 48 ГБ пам’яті у 12-шаровій збірці, що приблизно на 30% більше, ніж у HBM4. Надалі лінійка буде розширена:

• 32 ГБ (8-шарова версія)
• 48 ГБ (12-шарова версія)
• 64 ГБ (16-шарова версія)

Фокус на стабільність постачання для індустрії ШІ

У компанії зазначають, що зворотний зв’язок щодо HBM4 загалом був позитивним, а попит з боку ринку штучного інтелекту продовжує стрімко зростати. У зв’язку з цим Samsung має намір забезпечити стабільні та масштабовані постачання високошвидкісної пам’яті для ключових партнерів і дата-центрів по всьому світу.