-1.png){kind=logo}
По словам Qualcomm, новый 10нм процесс FinFET позволяет на 30% увеличить эффективность использования площади кристалла, на 27% повышает производительность и на 40 процентов уменьшает потребление энергии. Маленький размер позволит производителям сделать меньшие устройства или включать другие компоненты.
Новый процессор также станет первым, который будет поддерживать новую технологию Quick Charge 4. Qualcomm утверждает, что Quick Charge 4 обеспечивает на 20% быстрее зарядку и увеличенную на 30% эффективность подзарядки, в сравнении с Quick Charge 3. В сравнении же со стандартом Quick Charge 1.0 четвёртое поколение быстрее уже в 2,5 раза. Чтобы с использованием Quick Charge 4.0 получить запас энергии, достаточный для работы среднестатистического смартфона в течение пяти часов, достаточно подключить его к блоку питания на пять минут. Если же оставить аппарат заряжаться на 15 минут, то заряд его аккумулятора пополнится наполовину. Стоит отметить, что испытания проведились на телефоне с аккумулятором емкостью 2750 мАч.
Он также поддерживает стандарты питания USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD). Это означает, что вы сможете зарядить в режиме быстрой зарядки такие устройства, как прошлогодний Nexus и новый Pixel, а также новые MacBook с использованием Quick Charge 4 зарядного устройства.
Кроме того Quick Charge 4 включает в себя третье поколение алгоритма управления питанием Inov (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) для оптимального напряжения, который обеспечивает управление температурным режимом в режиме реального времени.
Компания Qualcomm также представила две новые микросхемы управления питанием — SMB1380 и SMB1381, которые имеют низкий импеданс, до 95% максимальную эффективность, а также расширенные функции быстрой зарядки.
Snapdragon 835, как ожидается, появится в устройствах в первой половине 2017 года.
