По информации Business Post, компания Samsung Electronics испытывает трудности по массовому производству 3-нм чипов с техпроцессом GAA.

В отчете говорится, что только определенный процент (по сообщениям, 10-20%) штампов чипов, вырезанных из пластины, может пройти контроль качества. Считается, что причиной такой низкой производительности является собственная архитектура транзисторов Gate-all-around (GAA). Однако с точки зрения производительности и энергоэффективности 3-нм технология Samsung Electronics значительно превзошла предыдущий процесс.

По данным IC Nolage, 3-нм процесс Samsung Electronics обеспечивает улучшение интеграции в 1,35 раза, улучшение производительности на 35% при использовании той же мощности и снижение энергопотребления на 50% при использовании той же мощности. Установлено, что результаты поспешного внедрения процедуры GAA приводят к повышению производительности.

TSMC, главный конкурент Samsung, по-прежнему использует свою существующую технологию FinFET для 3-нм микропроцессоров, хотя производство было отложено до конца года из-за проблем с выходом продукции. В конце концов, ожидается, что Apple, крупнейший клиент TSMC, первой применит 3-нм технологию в процессорах iPhone 2023 года.