O проекте Мобильная версия Реклама Статьи партнеров PR Crypto E-bike
Xiaomi Apple Samsung Google Huawei Oppo Vivo Realme Microsoft AnTuTu
iLenta

Samsung начинает производство 3-нм чипов первого поколения

01 июля 2022, 16:09 | Bazelas [1546]
Samsung Foundry объявила о начале массового производства своих чипов первого поколения на 3-нанометровом техпроцессе. Он основан на новой архитектуре транзисторов GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.
Samsung начинает производство 3-нм чипов первого поколения

По сравнению с 5-нм чипами Samsung, 3-нм чипы первого поколения обеспечивают повышение производительности до 23%, снижение энергопотребления до 45% и уменьшение площади поверхности на 16%.

Конструкция транзистора Gate-All-Around (GAA) позволяет литейному цеху уменьшить размеры транзисторов, не нарушая их способность проводить ток. Конструкция GAAFET, используемая в 3-нм узле, представляет собой вариант MBCFET, показанный на изображении ниже.

3-нм узел второго поколения Samsung будет еще более впечатляющим — Samsung заявляет, что он обеспечит снижение энергопотребления на 50%, повышение производительности на 30% и уменьшение площади на 35%.

Samsung теперь опережает компанию TSMC, которая, как ожидается, начнет массовое производство 3-нм чипов во второй половине года.

Теги: Samsung

Источник: Gsmarena

YouTube Telegram
Комментарии

ОБЗОРЫ

НОВОСТИ И СОБЫТИЯ

УСТРОЙСТВА И АКСЕССУАРЫ

ИНСТРУКЦИИ, СОВЕТЫ И СЕКРЕТЫ

КРИПТОВАЛЮТЫ

Google News
Ads
Safe Life
Ads
Ads