По сравнению с 5-нм чипами Samsung, 3-нм чипы первого поколения обеспечивают повышение производительности до 23%, снижение энергопотребления до 45% и уменьшение площади поверхности на 16%.
Конструкция транзистора Gate-All-Around (GAA) позволяет литейному цеху уменьшить размеры транзисторов, не нарушая их способность проводить ток. Конструкция GAAFET, используемая в 3-нм узле, представляет собой вариант MBCFET, показанный на изображении ниже.
3-нм узел второго поколения Samsung будет еще более впечатляющим — Samsung заявляет, что он обеспечит снижение энергопотребления на 50%, повышение производительности на 30% и уменьшение площади на 35%.
Samsung теперь опережает компанию TSMC, которая, как ожидается, начнет массовое производство 3-нм чипов во второй половине года.
Источник: Gsmarena