-1.png){kind=logo}
Всего через несколько месяцев после начала поставок шестого поколения HBM4 для клиентов вроде AMD и NVIDIA компания уже отправила первые образцы следующего поколения — HBM4E — крупным заказчикам.
Память нового поколения с повышенной скоростью и эффективностью
HBM4E построена на 12-слойной архитектуре и, согласно заявлению Samsung, обеспечивает заметный прирост производительности по сравнению с HBM4. Речь идет о:
- до 20% более высокой скорости работы
- до 16% улучшенной энергоэффективности
- пропускной способности до 3,6 ТБ/с
- скорости передачи данных до 14 Гбит/с на контакт с возможным разгоном до 16 Гбит/с
Такие характеристики делают новую память ориентированной в первую очередь на задачи искусственного интеллекта, где критически важны как скорость обработки данных, так и энергопотребление.
Улучшенный техпроцесс и повышенная надежность
В основе HBM4E используется 10-нм DRAM-процесс шестого поколения (1c), а также базовый кристалл Samsung Foundry, выполненный по 4-нм техпроцессу. Компания утверждает, что сочетание этих технологий позволило улучшить выход годной продукции и снизить производственные риски.
Отдельное внимание уделено тепловым характеристикам: термостойкость увеличена более чем на 14%, что положительно влияет на отвод тепла и общую надежность работы памяти под высокой нагрузкой.
Конфигурации до 64 ГБ и ставка на рынок ИИ
Samsung планирует выпускать HBM4E в нескольких конфигурациях. Базовая версия предлагает 48 ГБ памяти в 12-слойной сборке, что примерно на 30% больше, чем у HBM4. В дальнейшем линейка будет расширена:
- 32 ГБ (8-слойная версия)
- 48 ГБ (12-слойная версия)
- 64 ГБ (16-слойная версия)
Фокус на стабильность поставок для ИИ-индустрии
В компании отмечают, что обратная связь по HBM4 оказалась в целом положительной, а спрос со стороны рынка искусственного интеллекта продолжает стремительно расти. В связи с этим Samsung намерена обеспечить стабильные и масштабируемые поставки высокоскоростной памяти для ключевых партнеров и дата-центров по всему миру.
Источник: sammobile
