
Данное мероприятие преподносится, как азиатский дебют флагманского чипа. Также появилась информация, что в ходе презентации будет показан рабочий прототип процессора.
Процессор Snapdragon 835 создавался с использованием 10 нм технологического процесса. Он оснащается восьмью ядрами Kryo 280 и Hexagon 690. Четыре из них работают на частоте 2.45 ГГц, а другие четыре — с тактовой частотой 1.9 ГГц. В наличии также графика Adreno 540.
По заявлению производителя, Snapdragon 835 имеет модем X16 LTE, который обеспечивает скорость загрузки до 1 гигабита. Новый чип на 50% меньше предшественника, а его энергопотребление снизилось на 60%. Поддержка быстрой зарядки Quick Charge 4.0 обеспечивает увеличение эффективности на 30%, по сравнению с Quick Charge 3.0.
Первыми смартфонами на Qualcomm Snapdragon 835 станут Samsung Galaxy S8 и S8+, Sony Xperia XZ Premium и Xiaomi Mi 6.
Источник: Gizmochina