Samsung продолжает активно развивать технологии памяти для систем искусственного интеллекта. Компания впервые поделилась техническими подробностями о следующем поколении высокоскоростной памяти HBM5, которая должна стать одним из ключевых компонентов будущих серверов, ускорителей ИИ и высокопроизводительных вычислительных систем.

По официальным данным Samsung, новое поколение памяти сможет обеспечить прирост производительности более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Добиться такого результата планируется благодаря применению современного 2-нм техпроцесса и усовершенствованной конструкции микросхем.

HBM5 станет заметно быстрее предыдущего поколения

О новых разработках рассказал руководитель направления технологического развития контрактного производства Samsung Гу Джахум.

По его словам, память HBM5 будет обрабатывать данные более чем на 50% быстрее по сравнению с HBM4E.

Основные улучшения включают:

• использование 2-нм технологического процесса;
• повышение пропускной способности памяти;
• рост энергоэффективности;
• усовершенствованную конструкцию базового кристалла.

Именно базовый кристалл служит основой, на которой располагаются несколько слоев DRAM-памяти. Переход на более современный техпроцесс позволит уменьшить энергопотребление и одновременно увеличить скорость передачи данных.

Samsung внедрит технологию Gate-All-Around

Одной из ключевых особенностей новых микросхем станет использование фирменной 2-нм технологии Gate-All-Around (GAA).

В отличие от традиционных транзисторов FinFET, архитектура GAA обеспечивает более точный контроль над электрическим током, снижает утечки энергии и позволяет размещать больше транзисторов на той же площади кристалла.

>

Кроме того, Samsung планирует модернизировать технологию Through-Silicon Via (TSV), которая отвечает за соединение нескольких слоев памяти.

Компания намерена сделать соединения между слоями DRAM более плотными, что позволит дополнительно увеличить скорость обмена данными между микросхемами.

Почему HBM становится одним из самых важных компонентов

Высокоскоростная память HBM сегодня считается одним из ключевых элементов современной инфраструктуры искусственного интеллекта.

Она используется в:

• ускорителях ИИ;
• серверных графических процессорах;
• суперкомпьютерах;
• центрах обработки данных;
• системах машинного обучения.

В отличие от обычной оперативной памяти, HBM представляет собой несколько вертикально объединенных слоев DRAM, что обеспечивает значительно более высокую пропускную способность при меньшем энергопотреблении.

Именно поэтому спрос на подобные микросхемы стремительно растет вместе с развитием генеративного искусственного интеллекта и крупных языковых моделей.

Samsung ускоряет переход на 2-нм технологии

Разработка HBM5 — лишь часть более масштабной стратегии компании.

Samsung уже начала массовое производство микросхем первого поколения по 2-нм техпроцессу. Во второй половине текущего года производитель также рассчитывает приступить к выпуску новых мобильных процессоров на основе второго поколения 2-нм технологии, которое отличается улучшенным уровнем выхода годных кристаллов и повышенной производительностью.

Это позволит использовать единые передовые производственные решения как для серверных компонентов, так и для будущих мобильных устройств.

Как Samsung конкурирует с другими производителями памяти

Рынок HBM сегодня остается одним из самых быстрорастущих сегментов полупроводниковой отрасли. Основными конкурентами Samsung являются SK hynix и Micron, которые также активно развивают память нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта.

При этом именно способность выпускать современные микросхемы по 2-нм техпроцессу может стать одним из главных преимуществ Samsung в борьбе за заказы крупнейших разработчиков ИИ-чипов.

Увеличение скорости более чем на 50% по сравнению с HBM4E способно сделать HBM5 одной из наиболее производительных технологий памяти на рынке после начала ее коммерческого производства.

Почему эта разработка важна не только для серверов

Хотя память HBM5 не предназначена для обычных смартфонов или персональных компьютеров, подобные технологии косвенно влияют и на потребительскую электронику. Развитие более производительных ИИ-серверов ускоряет обучение нейросетей, которые затем используются в мобильных устройствах, облачных сервисах и современных приложениях.

Для украинских пользователей это означает дальнейшее развитие сервисов на базе искусственного интеллекта — от интеллектуального поиска и генерации контента до более мощных облачных инструментов, которыми ежедневно пользуются миллионы людей. Рост производительности серверной памяти помогает ускорить обработку данных и повысить эффективность подобных платформ.

Теги:

Источник: sammobile